Vishay Intertechnologies IRFIB5N65APBF
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IRFIB5N65APBF
2668-IRFIB5N65APBF
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 650V, 0.93ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, FULL PACK-3
1最小包装量--
IRFIB5N65APBF详情
Vishay Intertechnologies IRFIB5N65APBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of capacitor
ceramic
Kind of capacitor
MLCC
Mounting
SMD
Case - inch
1812
Case - mm
4532
Capacitors series
KGF
Gross weight
0.009 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
5.1 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Operating temperature
-55...125°C
容差
±10%
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电容量
10nF
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
电介质
X7R
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.93 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
21 A
DS 击穿电压-最小值
650 V
雪崩能量等级(Eas)
325 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
60 W
Operating voltage
1kV
IRFIB5N65APBF拓展信息
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