IRFL110TRPBF
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Vishay Intertechnologies IRFL110TRPBF

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型号

IRFL110TRPBF

utmel 编号

2668-IRFL110TRPBF

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4

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IRFL110TRPBF
IRFL110TRPBF Vishay Intertechnologies Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4

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IRFL110TRPBF详情

Vishay Intertechnologies IRFL110TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks, 3 Days

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Cable material

    copper plated aluminum (CCA), gauge (24AWG)

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Part Package Code

    TO-261AA

  • Package Description

    SOT-223, 3 PIN

  • Drain Current-Max (ID)

    1.5 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Gross weight

    7354.00

  • Transport packaging size/quantity

    44*37*37/2

  • Cable type

    twisted pair - U/UTP 4x2x0.48 Cat. 5e solid (indoor)

  • Sheath thickness

    0.48 mm

  • Overall cable diameter

    5.2 mm

  • Cable sheath material

    polyvinylchloride (PVC)

  • Conductor sheath material

    high-density polyethylene (HDPE)

  • 包装

    reel 305 m in a box

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn) - annealed

  • 颜色

    Gray

  • 附加功能

    雪崩 额定

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 屏蔽/屏蔽

    unshielded

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • Operating temperature range

    -40…+60 °C

  • JEDEC-95代码

    TO-261AA

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.54 Ω

  • Frequency range

    1-100 MHz

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    12 A

  • DS 击穿电压-最小值

    100 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    150 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    3.1 W

  • Characteristic impedance

    100 ± 15 Ω

  • Conductor diameter

    0.48 mm

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    15 pF

  • 饱和电流

    1

  • 标准

    ANSI/ TIA/ EIA-568-B.2

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技术文档: Vishay Intertechnologies IRFL110TRPBF.

IRFL110TRPBF拓展信息

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