Vishay Intertechnologies IRL630STRLPBF
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IRL630STRLPBF
2668-IRL630STRLPBF
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, SMD-220, D2PAK-3
1最小包装量--
IRL630STRLPBF详情
Vishay Intertechnologies IRL630STRLPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
表面安装
YES
材料
aluminium
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of heatsink
extruded
Heatsink shape
U
Colour
aluminium
Material finishing
transparently anodized
Mounting
for back plate
Internal width
13.3mm
Gross weight
700 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Drain Current-Max (ID)
9 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.4 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
36 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
雪崩能量等级(Eas)
250 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
74 W
第二个连接器加载的位置数
LED
饱和电流
1
长度
75mm
宽度
23.5mm
高度
17mm
IRL630STRLPBF拓展信息
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