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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.565438
10
¥1.476825
100
¥1.393232
500
¥1.314375
1000
¥1.239976
Vishay Intertechnologies SI1012R-T1-GE3
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- 对比
SI1012R-T1-GE3
2668-SI1012R-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SC-75A, 3 PIN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI1012R-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI1012R-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks, 4 Days
表面安装
YES
房屋材料
metal
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SC-75A, 3 PIN
Drain Current-Max (ID)
0.5 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Type of capacitor
ceramic
Kind of capacitor
MLCC
Capacitance tolerance
±0.5pF
Mounting
SMD
Case - inch
0201
Case - mm
0603
Capacitors series
GCQ
Gross weight
0.03 g
Transport Packaging size/quantity
63*33*25/100
Maximum Current
30 A
Purpose
remote control of electrical equipment
Number of switching cycles (electrical)
≥1 million (mechanical)
Operating temperature
-55...125°C
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
颜色
gray
附加功能
低阈值
电容量
8.4pF
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
深度
103 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
电介质
C0G (NP0)
触点电阻
≤50 mΩ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
工作温度范围
-25…+70 °C
额定电流
10 A
漏极-源极导通最大电阻
0.7 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.175 W
额定电压
380 V
饱和电流
1
Operating voltage
50V
高度
50.5 mm
宽度
61 mm
SI1012R-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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