SI1400DL-T1-E3
SI1400DL-T1-E3

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Vishay Intertechnologies SI1400DL-T1-E3

  • 收藏
  • 对比

型号

SI1400DL-T1-E3

utmel 编号

2668-SI1400DL-T1-E3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SC-70, 6 PIN

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
SI1400DL-T1-E3
SI1400DL-T1-E3 Vishay Intertechnologies Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SC-70, 6 PIN

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

SI1400DL-T1-E3详情

Vishay Intertechnologies SI1400DL-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 材料

    Brass

  • 终端数量

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Type of capacitor

    ceramic

  • Kind of capacitor

    MLCC

  • Mounting

    SMD

  • Case - inch

    0805

  • Case - mm

    2012

  • Capacitors series

    KGM

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    ROHS COMPLIANT, SC-70, 6 PIN

  • Drain Current-Max (ID)

    1.6 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Gross weight

    1.70

  • Transport package size/quantity

    28.5*21*19/5000

  • Thread

    M4

  • Thread depth

    8.5 mm

  • Operating temperature

    -55...125°C

  • 容差

    ±1%

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Threaded blind rivet nut BLZB series

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 电容量

    0.1nF

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G6

  • 资历状况

    不合格

  • 电介质

    C0G (NP0)

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.15 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    20 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.625 W

  • 饱和电流

    1

  • Operating voltage

    50V

  • Shaft diameter

    5 (+/- 0.3) mm

  • 直径

    6.3 mm

  • 长度

    10 mm

0个相似型号

技术文档: Vishay Intertechnologies SI1400DL-T1-E3.

SI1400DL-T1-E3拓展信息

SQ2319ADS-T1_GE3
SQ2319ADS-T1_GE3

Vishay Intertechnologies

SIHG22N60E-GE3
SIHG22N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

SI4866DY-T1-E3
SI4866DY-T1-E3

Vishay Intertechnologies

SIHG33N60E-GE3
SIHG33N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

IRFP064PBF
IRFP064PBF

Vishay Intertechnologies

SI1013R-T1-GE3
SI1013R-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

SUP40012EL-GE3
SUP40012EL-GE3

Vishay Intertechnologies

SI7112DN-T1-GE3
SI7112DN-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

IRFB9N60APBF
IRFB9N60APBF

Vishay Intertechnologies

SI2316BDS-T1-GE3
SI2316BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z