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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.634339
10
¥0.598433
100
¥0.564559
500
¥0.532604
1000
¥0.502455
Vishay Intertechnologies SI1902CDL-T1-GE3
- 收藏
- 对比
SI1902CDL-T1-GE3
2668-SI1902CDL-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI1902CDL-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI1902CDL-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
2
Type of capacitor
ceramic
Kind of capacitor
MLCC
Capacitance tolerance
±0.05pF
Mounting
SMD
Case - inch
0201
Case - mm
0603
Capacitors series
GCQ
Gross weight
0.03 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Drain Current-Max (ID)
1.1 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Operating temperature
-55...125°C
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电容量
9.6pF
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G6
电介质
C0G (NP0)
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.235 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.42 W
饱和电流
1
Operating voltage
50V
SI1902CDL-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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