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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.374452
10
¥3.183444
100
¥3.003251
500
¥2.833256
1000
¥2.672886
Vishay Intertechnologies SI2308BDS-T1-E3
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- 对比
SI2308BDS-T1-E3
2668-SI2308BDS-T1-E3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236,
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI2308BDS-T1-E3详情
Vishay Intertechnologies SI2308BDS-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
Housing material
flame-retardant plastic
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Gross weight
21.80
Transport packaging size/quantity
35*35*32 / 500
Mounting hole size
Ф22 mm
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Drain Current-Max (ID)
1.9 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Measurement range
voltage (AC) - 20…500 V
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
Connector type
screw terminals
类型
digital LED voltmeter DMS series
端子表面处理
哑光锡
颜色
glow - white
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
深度
47.1 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Insulation resistance
≥2 MOhm
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
Operating temperature range
-25…+65 °C
JEDEC-95代码
TO-236
漏极-源极导通最大电阻
0.156 Ω
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.66 W
饱和电流
1
高度
30.1 mm
宽度
30.1 mm
直径
housing - 20.4 mm
SI2308BDS-T1-E3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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