SI2308CDS-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies SI2308CDS-T1-GE3

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型号

SI2308CDS-T1-GE3

utmel 编号

2668-SI2308CDS-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor,

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1最小包装量--

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SI2308CDS-T1-GE3
SI2308CDS-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Small Signal Field-Effect Transistor,

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SI2308CDS-T1-GE3详情

Vishay Intertechnologies SI2308CDS-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    28 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Transport packaging size/quantity

    33*38*23/1000

  • Type of bridge rectifier

    three-phase

  • Max. off-state voltage

    1.4kV

  • Max. forward impulse current

    1kA

  • Electrical mounting

    screw

  • Version

    module - slim

  • Max. forward voltage

    1.7V

  • Leads

    M6 screws

  • Case

    PWS-E flat

  • Mechanical mounting

    screw

  • Kind of package

    bulk

  • Features of semiconductor devices

    glass passivated

  • Gross weight

    225 g

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Drain Current-Max (ID)

    2.6 A

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Execution

    with flexible leads 75 mm

  • Body diameter

    23 mm

  • Magnet diameter

    11.1 mm

  • Resonance frequency

    530 Hz

  • Maximum power

    2 W

  • Permissible deviation of characteristics

    15 %

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Electrodynamical Head (speaker) series S1300

  • 端子表面处理

    TIN

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 阻抗

    8 Ohm

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • Operating temperature range

    -25...+55 °C

  • JEDEC-95代码

    TO-236

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.144 Ω

  • Frequency range

    530-5000 Hz

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • Load current

    127A

  • Sound pressure level (SPL)

    112 dB

  • 饱和电流

    1

  • 高度

    4.2 mm

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技术文档: Vishay Intertechnologies SI2308CDS-T1-GE3.

SI2308CDS-T1-GE3拓展信息

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IRF540PBF
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SI4848DY-T1-E3
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