注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.643088
10
¥0.606687
100
¥0.572346
500
¥0.53995
1000
¥0.509386
Vishay Intertechnologies SI2318CDS-T1-GE3
- 收藏
- 对比
SI2318CDS-T1-GE3
2668-SI2318CDS-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, TO-236, SOT-23, 3 PIN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI2318CDS-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI2318CDS-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
17 Weeks, 3 Days
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
TO-236, SOT-23, 3 PIN
Drain Current-Max (ID)
5.6 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-236AB
漏极-源极导通最大电阻
0.042 Ω
DS 击穿电压-最小值
40 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2.1 W
反馈上限-最大值 (Crss)
30 pF
饱和电流
1
SI2318CDS-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies






哦! 它是空的。