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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.803169
10
¥1.701103
100
¥1.604814
500
¥1.513976
1000
¥1.428279
Vishay Intertechnologies SI2318DS-T1-E3
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- 对比
SI2318DS-T1-E3
2668-SI2318DS-T1-E3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 40V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, TO-236, SOT-23, 3 PIN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI2318DS-T1-E3详情
Vishay Intertechnologies SI2318DS-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
材料
Polyolefin
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
TO-236, SOT-23, 3 PIN
Drain Current-Max (ID)
3 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Diameter before shrinkage
8.0 mm
Diameter after shrinkage
4.0 mm
Thickness after shrinkage
0.6 mm
Gross weight
12.40
Transport packaging size/quantity
105*20*16/500
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
Non-flame-retardant heat shrink tubing
端子表面处理
哑光锡
颜色
red
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
Operating temperature range
-55...+125 °C
JEDEC-95代码
TO-236AB
漏极-源极导通最大电阻
0.045 Ω
DS 击穿电压-最小值
40 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Shrink temperature
+80...+120 °C
反馈上限-最大值 (Crss)
45 pF
饱和电流
1
Operating voltage
600 V
收缩率
2 : 1
长度
1 m
SI2318DS-T1-E3拓展信息
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