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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.601111
10
¥2.453881
100
¥2.314981
500
¥2.18394
1000
¥2.060324
Vishay Intertechnologies SI2325DS-T1-E3
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- 对比
SI2325DS-T1-E3
2668-SI2325DS-T1-E3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.53A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, TO-236, SOT-23, 3 PIN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI2325DS-T1-E3详情
Vishay Intertechnologies SI2325DS-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
材料
Polyester
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Transport packaging size/quantity
56*52*62/100
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
TO-236, SOT-23, 3 PIN
Drain Current-Max (ID)
0.53 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Type of integrated circuit
interface
Kind of integrated circuit
digital isolator
Data transfer rate
150Mbps
Mounting
SMD
Case
SOP16
Insulation voltage
3.75kV
Kind of channel
unidirectional
Gross weight
1 g
Operating temperature
-40...125°C
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
颜色
Brown
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Number of channels
4
操作模式
增强型MOSFET
Number of inputs
3/1
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-236AB
漏极-源极导通最大电阻
1.3 Ω
DS 击穿电压-最小值
150 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.75 W
反馈上限-最大值 (Crss)
16 pF
饱和电流
1
高度
50 mm
宽度
130 mm
长度
520 mm
SI2325DS-T1-E3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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