Vishay Intertechnologies SI2356DS-T1-GE3
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SI2356DS-T1-GE3
2668-SI2356DS-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Small Signal Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN
--最小包装量--
SI2356DS-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI2356DS-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
材料
rubber NK / carbon structural steel
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of capacitor
ceramic
Kind of capacitor
MLCC
Mounting
SMD
Case - inch
0402
Case - mm
1005
Capacitors series
GCM
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
TO-236, SOT-23, 3 PIN
Drain Current-Max (ID)
4.3 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Coating
galvanized
Body diameter
30 mm
Load capacity
21 kg
Thread
M8
Gross weight
49.67
Transport packaging size/quantity
42*28*18.5/300
Operating temperature
-40...+80 °C
容差
±5%
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
C
端子表面处理
哑光锡
电容量
51pF
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G3
电介质
C0G (NP0)
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-236AB
漏极-源极导通最大电阻
0.051 Ω
DS 击穿电压-最小值
40 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.7 W
反馈上限-最大值 (Crss)
17 pF
饱和电流
1
Operating voltage
100V
高度
30 mm
SI2356DS-T1-GE3拓展信息
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