Vishay Intertechnologies SI3469DV-T1-E3
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SI3469DV-T1-E3
2668-SI3469DV-T1-E3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA, MO-193C, TSOP-6
1最小包装量--
SI3469DV-T1-E3详情
Vishay Intertechnologies SI3469DV-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
MO-193C, TSOP-6
Drain Current-Max (ID)
5 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Type of cable accessories
cable chain
Bending radius
125mm
Version
frames openable from inner radius
External height
50mm
External width
119.5mm
Internal height
35mm
Internal width
103mm
Gross weight
1320 g
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Pure Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
MO-193AA
漏极-源极导通最大电阻
0.03 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.14 W
饱和电流
1
长度
1040mm
SI3469DV-T1-E3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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