注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥21.303833
10
¥20.097958
100
¥18.960334
500
¥17.887108
1000
¥16.87463
Vishay Intertechnologies SI4490DY-T1-GE3
- 收藏
- 对比
SI4490DY-T1-GE3
2668-SI4490DY-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Small Signal Field-Effect Transistor, 2.85A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI4490DY-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI4490DY-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of capacitor
ceramic
Kind of capacitor
MLCC
Mounting
SMD
Case - inch
1210
Case - mm
3225
Capacitors series
KGM
Gross weight
0.028 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8
Drain Current-Max (ID)
2.85 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Operating temperature
-55...125°C
容差
±10%
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
电容量
10µF
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
电介质
X7R
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.09 Ω
DS 击穿电压-最小值
200 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
3.1 W
饱和电流
1
Operating voltage
25V
SI4490DY-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies






哦! 它是空的。