Vishay Intertechnologies SI4559ADY-T1-E3
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SI4559ADY-T1-E3
2668-SI4559ADY-T1-E3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 60V, 0.058ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SOP-8
--最小包装量--
SI4559ADY-T1-E3详情
Vishay Intertechnologies SI4559ADY-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
2
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
ROHS COMPLIANT, SOP-8
Drain Current-Max (ID)
4.3 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Switching Scheme
(ON)-OFF-(ON)
Construction Features
vertical position
Number of switching cycles (electrical)
50000 min
Gross Weight
0.69
Transport Package size/quantity
41*41*30/800
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
深度
3 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
触点电阻
50 mOhm max
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
绝缘电阻
100 MOhm min
操作模式
增强型MOSFET
开关类型
DS series microswitch,
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
工作温度范围
-40...+85 °C
额定电流
0.1 A
漏极-源极导通最大电阻
0.058 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
6.1 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
3.4 W
额定电压
5 V
饱和电流
1
高度
5.6 (body) mm
宽度
7.5 mm
SI4559ADY-T1-E3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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