Vishay Intertechnologies SI6562CDQ-T1-GE3

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

2

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Package Description

HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSSOP-8

Drain Current-Max (ID)

4.2 A

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.022 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.7 W

饱和电流

1