注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.554852
10
¥3.353636
100
¥3.163802
500
¥2.984719
1000
¥2.815773
Vishay Intertechnologies SI7288DP-T1-GE3
- 收藏
- 对比
SI7288DP-T1-GE3
2668-SI7288DP-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 40V, 0.019ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI7288DP-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI7288DP-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
材料
aluminium
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
2
Type of heatsink
extruded
Heatsink shape
grilled
Colour
black
Material finishing
anodized
Mounting
retaining spring
Thermal resistance @200 LFM
6.3°C/W
Plate thickness
2mm
Gross weight
7.79 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8
Drain Current-Max (ID)
10 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
JESD-30代码
R-XDSO-C6
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.019 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
50 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
雪崩能量等级(Eas)
5 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
15.6 W
饱和电流
1
Thermal resistance
max. 20.8°C/W
长度
35.6mm
宽度
35.6mm
高度
9mm
SI7288DP-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies






哦! 它是空的。