SI7434DP-T1-GE3
SI7434DP-T1-GE3

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Vishay Intertechnologies SI7434DP-T1-GE3

  • 收藏
  • 对比

型号

SI7434DP-T1-GE3

utmel 编号

2668-SI7434DP-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 250V, 0.155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
SI7434DP-T1-GE3
SI7434DP-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 250V, 0.155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

SI7434DP-T1-GE3详情

Vishay Intertechnologies SI7434DP-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • Contact plating

    tinned

  • 表面安装

    YES

  • Number of pins

    29

  • 终端数量

    5

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Type of connector

    pin strips

  • Connector

    socket

  • Kind of connector

    female

  • Spatial orientation

    straight

  • Contacts pitch

    2.54mm

  • Electrical mounting

    THT

  • Connector pinout layout

    1x29

  • Gross weight

    2.08 g

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    生命周期结束

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8

  • Drain Current-Max (ID)

    2.3 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Operating temperature

    -40...200°C

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    C 弯管

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • Current rating

    3A

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • JESD-30代码

    R-XDSO-C5

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.155 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    40 A

  • DS 击穿电压-最小值

    250 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    8.4 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    5.2 W

  • Rated voltage

    125V

  • 个人资料

    bronze

  • 饱和电流

    1

  • Plating thickness

    4µm

  • Flammability rating

    UL94V-0

0个相似型号

技术文档: Vishay Intertechnologies SI7434DP-T1-GE3.

SI7434DP-T1-GE3拓展信息

SQ2319ADS-T1_GE3
SQ2319ADS-T1_GE3

Vishay Intertechnologies

SIHG22N60E-GE3
SIHG22N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

SI4866DY-T1-E3
SI4866DY-T1-E3

Vishay Intertechnologies

SIHG33N60E-GE3
SIHG33N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

IRFP064PBF
IRFP064PBF

Vishay Intertechnologies

SI1013R-T1-GE3
SI1013R-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

SUP40012EL-GE3
SUP40012EL-GE3

Vishay Intertechnologies

SI7112DN-T1-GE3
SI7112DN-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

IRFB9N60APBF
IRFB9N60APBF

Vishay Intertechnologies

SI2316BDS-T1-GE3
SI2316BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z