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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.536795
10
¥7.110184
100
¥6.707721
500
¥6.328039
1000
¥5.969847
Vishay Intertechnologies SI7450DP-T1-E3
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SI7450DP-T1-E3
2668-SI7450DP-T1-E3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI7450DP-T1-E3详情
Vishay Intertechnologies SI7450DP-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Color actuator/housing
metal (Ф10 mm)/black
Gross weight
24.40
Transport package size/quantity
42*28*18.5/500
Maximum voltage
125/250 (AC) V
Mounting hole size
12.2 mm
Switching scheme
2x ON - ON with latching, DPDT (6P)
Construction features
side-mounted contacts (for soldering)
Switching cycles (electrical)
50000 min
Dielectric strength
1000 (50 Hz / 1 min.) V
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Drain Current-Max (ID)
3.2 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
PBS-24 series pushbutton switch
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
深度
42.2 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-XDSO-C5
资历状况
不合格
Contact resistance
20 mΩ max
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Insulation resistance
500 (at Uisol.dc=500 V) MΩ min
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
Rated current
5/2 A
漏极-源极导通最大电阻
0.09 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
40 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
5.2 W
饱和电流
1
高度
17.2 (housing); 27 (total) mm
宽度
12.2 (housing); 23.5 (total) mm
SI7450DP-T1-E3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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