SI7450DP-T1-E3
SI7450DP-T1-E3

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Vishay Intertechnologies SI7450DP-T1-E3

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型号

SI7450DP-T1-E3

utmel 编号

2668-SI7450DP-T1-E3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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SI7450DP-T1-E3
SI7450DP-T1-E3 Vishay Intertechnologies Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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SI7450DP-T1-E3详情

Vishay Intertechnologies SI7450DP-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    5

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Color actuator/housing

    metal (Ф10 mm)/black

  • Gross weight

    24.40

  • Transport package size/quantity

    42*28*18.5/500

  • Maximum voltage

    125/250 (AC) V

  • Mounting hole size

    12.2 mm

  • Switching scheme

    2x ON - ON with latching, DPDT (6P)

  • Construction features

    side-mounted contacts (for soldering)

  • Switching cycles (electrical)

    50000 min

  • Dielectric strength

    1000 (50 Hz / 1 min.) V

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Drain Current-Max (ID)

    3.2 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    PBS-24 series pushbutton switch

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    C 弯管

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 深度

    42.2 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • JESD-30代码

    R-XDSO-C5

  • 资历状况

    不合格

  • Contact resistance

    20 mΩ max

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • Insulation resistance

    500 (at Uisol.dc=500 V) MΩ min

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • Rated current

    5/2 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.09 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    40 A

  • DS 击穿电压-最小值

    200 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    5.2 W

  • 饱和电流

    1

  • 高度

    17.2 (housing); 27 (total) mm

  • 宽度

    12.2 (housing); 23.5 (total) mm

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技术文档: Vishay Intertechnologies SI7450DP-T1-E3.

SI7450DP-T1-E3拓展信息

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