SI7617DN-T1-GE3
SI7617DN-T1-GE3

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Vishay Intertechnologies SI7617DN-T1-GE3

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型号

SI7617DN-T1-GE3

utmel 编号

2668-SI7617DN-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 13.9A I(D), 30V, 0.0123ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOFEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8

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SI7617DN-T1-GE3
SI7617DN-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Power Field-Effect Transistor, 13.9A I(D), 30V, 0.0123ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOFEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8

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SI7617DN-T1-GE3详情

Vishay Intertechnologies SI7617DN-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    18 Weeks, 1 Day

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    5

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    不推荐

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    HALOFEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8

  • Drain Current-Max (ID)

    13.9 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Package Shape

    SQUARE

  • Package Style

    小概要

  • Gross weight

    14.20

  • Transport package size/quantity

    59.5*32*38/1000

  • Body diameter

    50 mm

  • Magnet diameter

    17.5 mm

  • Resonant frequency

    200 Hz

  • Maximum power

    0.25 W

  • Allowable deviation of characteristics

    15 %

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Electrodynamic head (speaker) of DXI50N series

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    C 弯管

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • JESD-30代码

    S-XDSO-C5

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 阻抗

    150 Ohm

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • Operating temperature range

    -20...+65 °C

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0123 Ω

  • Frequency range

    200-5000 Hz

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    60 A

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    42 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    52 W

  • Sound pressure level (SPL)

    77 dB

  • 饱和电流

    1

  • 高度

    8.5 mm

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技术文档: Vishay Intertechnologies SI7617DN-T1-GE3.

SI7617DN-T1-GE3拓展信息

SQ2319ADS-T1_GE3
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SIHG22N60E-GE3
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SI4866DY-T1-E3
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SI2316BDS-T1-GE3
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