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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.16116
10
¥3.925623
100
¥3.703417
500
¥3.493791
1000
¥3.296029
Vishay Intertechnologies SI7617DN-T1-GE3
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- 对比
SI7617DN-T1-GE3
2668-SI7617DN-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Power Field-Effect Transistor, 13.9A I(D), 30V, 0.0123ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOFEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI7617DN-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI7617DN-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks, 1 Day
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
HALOFEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8
Drain Current-Max (ID)
13.9 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
SQUARE
Package Style
小概要
Gross weight
14.20
Transport package size/quantity
59.5*32*38/1000
Body diameter
50 mm
Magnet diameter
17.5 mm
Resonant frequency
200 Hz
Maximum power
0.25 W
Allowable deviation of characteristics
15 %
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
Electrodynamic head (speaker) of DXI50N series
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
JESD-30代码
S-XDSO-C5
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
阻抗
150 Ohm
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
Operating temperature range
-20...+65 °C
漏极-源极导通最大电阻
0.0123 Ω
Frequency range
200-5000 Hz
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
42 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
52 W
Sound pressure level (SPL)
77 dB
饱和电流
1
高度
8.5 mm
SI7617DN-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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