Vishay Intertechnologies SI8409DB-T1-E1
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SI8409DB-T1-E1
2668-SI8409DB-T1-E1
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Small Signal Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CSP-4
1最小包装量--
SI8409DB-T1-E1详情
Vishay Intertechnologies SI8409DB-T1-E1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CSP-4
Drain Current-Max (ID)
4.6 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
SQUARE
Package Style
网格排列
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
S-PBGA-B4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.065 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2.77 W
饱和电流
1
SI8409DB-T1-E1拓展信息
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