注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.387259
10
¥1.308737
100
¥1.234653
500
¥1.164769
1000
¥1.098836
Vishay Intertechnologies SIA427ADJ-T1-GE3
- 收藏
- 对比
SIA427ADJ-T1-GE3
2668-SIA427ADJ-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SIA427ADJ-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SIA427ADJ-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
SMALL OUTLINE, S-PDSO-N3
Drain Current-Max (ID)
12 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
SQUARE
Package Style
小概要
Turn-off Time-Max (toff)
165 ns
Turn-on Time-Max (ton)
60 ns
Completeness
plug 3p + socket 3p
Maximum current
60 A
Number of connections/disconnections
100
Insulator material
RA
Contact material
copper
Contact coating
gold-plated
Fire resistance class
UL94 V0
Gross weight
12.10
Transport packaging size/quantity
42*28*23.5/500
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
连接器类型
MR60 high power connector kit for radio-controlled models three-pin
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
深度
plug - 21.6; socket - 21.1 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
S-PDSO-N3
Contact resistance
≤1.5 mOhm
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
Operating temperature range
-20...+120 °C
Rated current
30 A
漏极-源极导通最大电阻
0.016 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
50 A
DS 击穿电压-最小值
8 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
19 W
反馈上限-最大值 (Crss)
690 pF
环境耗散-最大值
3.5 W
高度
9.8 mm
宽度
20.2 mm
SIA427ADJ-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies






哦! 它是空的。