SIA427ADJ-T1-GE3
SIA427ADJ-T1-GE3

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Vishay Intertechnologies SIA427ADJ-T1-GE3

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型号

SIA427ADJ-T1-GE3

utmel 编号

2668-SIA427ADJ-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SIA427ADJ-T1-GE3
SIA427ADJ-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SIA427ADJ-T1-GE3详情

Vishay Intertechnologies SIA427ADJ-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    18 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, S-PDSO-N3

  • Drain Current-Max (ID)

    12 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    SQUARE

  • Package Style

    小概要

  • Turn-off Time-Max (toff)

    165 ns

  • Turn-on Time-Max (ton)

    60 ns

  • Completeness

    plug 3p + socket 3p

  • Maximum current

    60 A

  • Number of connections/disconnections

    100

  • Insulator material

    RA

  • Contact material

    copper

  • Contact coating

    gold-plated

  • Fire resistance class

    UL94 V0

  • Gross weight

    12.10

  • Transport packaging size/quantity

    42*28*23.5/500

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 连接器类型

    MR60 high power connector kit for radio-controlled models three-pin

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn) - annealed

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    无铅

  • 深度

    plug - 21.6; socket - 21.1 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    S-PDSO-N3

  • Contact resistance

    ≤1.5 mOhm

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • Operating temperature range

    -20...+120 °C

  • Rated current

    30 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.016 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    50 A

  • DS 击穿电压-最小值

    8 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    19 W

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    690 pF

  • 环境耗散-最大值

    3.5 W

  • 高度

    9.8 mm

  • 宽度

    20.2 mm

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技术文档: Vishay Intertechnologies SIA427ADJ-T1-GE3.

SIA427ADJ-T1-GE3拓展信息

SI4160DY-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

IRF540PBF
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Vishay Intertechnologies

SQJ418EP-T1_GE3
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Vishay Intertechnologies

IRL640
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Vishay Intertechnologies

SIR626DP-T1-RE3
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SI2318DS-T1-GE3
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SQ1470AEH-T1_GE3
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SIUD403ED-T1-GE3
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IRFL9110TRPBF
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SI4848DY-T1-E3
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