Vishay Intertechnologies SIA461DJ-T1-GE3

工厂交货时间

16 Weeks

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Type of module

IGBT

Semiconductor structure

transistor/transistor

Max. off-state voltage

1.7kV

Collector current

100A

Case

SEMITRANS2

Electrical mounting

FASTON connectors,

Gate-emitter voltage

±20V

Pulsed collector current

300A

Mechanical mounting

screw

Gross weight

160 g

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Package Description

HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, SC-70, POWERPAK-6

Drain Current-Max (ID)

12 A

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

SQUARE

Package Style

小概要

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

S-PDSO-N3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

拓扑

IGBT half-bridge

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.033 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20 A

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

第二个连接器加载的位置数

for UPS,

饱和电流

1