Vishay Intertechnologies SIHH100N60E-T1-GE3
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SIHH100N60E-T1-GE3
2668-SIHH100N60E-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor,
1最小包装量--
SIHH100N60E-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SIHH100N60E-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
表面安装
YES
Housing material
nickel-plated brass
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Date Of Intro
2018-09-17
Drain Current-Max (ID)
28 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
SQUARE
Package Style
小概要
Turn-off Time-Max (toff)
164 ns
Turn-on Time-Max (ton)
133 ns
Gross weight
8.00
Transport package size/quantity
28*27*31/300
Emitter type
dot flat
Indicator type
Vandal-proof indicator series GQ8
Teral type
flexible leadsmin
Nominal current
15 mA
Nominal voltage
12-24 V
Mounting diameter
8 mm
ECCN 代码
EAR99
颜色
green
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
S-PSSO-N4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.1 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
63 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
雪崩能量等级(Eas)
127 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
174 W
反馈上限-最大值 (Crss)
6 pF
SIHH100N60E-T1-GE3拓展信息
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