Vishay Intertechnologies SIHP12N50C-E3
- 收藏
- 对比
SIHP12N50C-E3
2668-SIHP12N50C-E3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.555ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
1最小包装量--
SIHP12N50C-E3详情
Vishay Intertechnologies SIHP12N50C-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
质量
0.8 kg
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Gross weight
830.00
Transport packaging size/quantity
36*15*18/20
Analog
POC40
Melting temperature
183...240 °C
Soldering temperature
285...330 °C
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Drain Current-Max (ID)
12 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
包装
spool
ECCN 代码
EAR99
类型
Soft lead-tin solder Sn/Pb with flux
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.555 Ω
设计
tube
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
28 A
DS 击穿电压-最小值
500 V
雪崩能量等级(Eas)
180 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
208 W
直径
2 mm
SIHP12N50C-E3拓展信息
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies







哦! 它是空的。