Vishay Intertechnologies SIR166DP-T1-GE3

表面安装

YES

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Gross Weight

92.00

Transport Packaging Size/Quantity

34.5*34*24/100

Mounting Hole Size

Ф57,5+0,4 (see drawing) mm

Measurement Range

750 A

Relative Humidity

up to 80% at +25 °C %

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Package Description

HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8

Drain Current-Max (ID)

40 A

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

UNSPECIFIED

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

类型

M42301 (analog), DC ammeter

端子表面处理

哑光锡

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

深度

47 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-XDSO-C5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

位置

vertical

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

工作温度范围

-5…+40 °C

漏极-源极导通最大电阻

0.0032 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

70 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

80 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

48 W

饱和电流

1

精度等级

2.5

高度

60 mm

宽度

60 mm