SIR464DP-T1-GE3
SIR464DP-T1-GE3

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

价格梯度

内地含税价

  • 1

    ¥4.79537

  • 10

    ¥4.523935

  • 100

    ¥4.267863

  • 500

    ¥4.026286

  • 1000

    ¥3.798382

Vishay Intertechnologies SIR464DP-T1-GE3

  • 收藏
  • 对比

型号

SIR464DP-T1-GE3

utmel 编号

2668-SIR464DP-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 29.5A I(D), 30V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8

起订量

--最小包装量--

单价:

总价:

添加到询价列表
SIR464DP-T1-GE3
SIR464DP-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Power Field-Effect Transistor, 29.5A I(D), 30V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8

单价: $

合计:

库存:100

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

SIR464DP-T1-GE3详情

Vishay Intertechnologies SIR464DP-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    5

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Type of integrated circuit

    STM32 ARM microcontroller

  • Mounting

    SMD

  • Number of inputs/outputs

    80

  • Case

    UFBGA100

  • Kind of architecture

    Cortex M33

  • Memory

    256kB FLASH

  • Number of 12bit A/D converters

    2

  • Number of 12bit D/A converters

    1

  • Gross weight

    0.5 g

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    不推荐

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8

  • Drain Current-Max (ID)

    29.5 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Operating temperature

    -40...85°C

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    C 弯管

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-XDSO-C5

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • Clock frequency

    250MHz

  • 家人

    STM32H5

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0031 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    70 A

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    80 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    69 W

0个相似型号

技术文档: Vishay Intertechnologies SIR464DP-T1-GE3.

SIR464DP-T1-GE3拓展信息

SQ2319ADS-T1_GE3
SQ2319ADS-T1_GE3

Vishay Intertechnologies

SIHG22N60E-GE3
SIHG22N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

SI4866DY-T1-E3
SI4866DY-T1-E3

Vishay Intertechnologies

SIHG33N60E-GE3
SIHG33N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

IRFP064PBF
IRFP064PBF

Vishay Intertechnologies

SI1013R-T1-GE3
SI1013R-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

SUP40012EL-GE3
SUP40012EL-GE3

Vishay Intertechnologies

SI7112DN-T1-GE3
SI7112DN-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

IRFB9N60APBF
IRFB9N60APBF

Vishay Intertechnologies

SI2316BDS-T1-GE3
SI2316BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z