Vishay Intertechnologies SIR472DP-T1-GE3
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SIR472DP-T1-GE3
2668-SIR472DP-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
8-SIP Module, 7 Leads
大陆
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
1最小包装量--
SIR472DP-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SIR472DP-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
8-SIP Module, 7 Leads
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
端子材料
5V
外壳材料
1
厂商
Traco Power
Standard Number
62368-1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
Drain Current-Max (ID)
14 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
系列
TEC 3UI (3W)
包装
Tube
操作温度
-40°C ~ 90°C
尺寸/尺寸
0.88" L x 0.39" W x 0.44" H (22.3mm x 10.0mm x 11.3mm)
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
类型
隔离模块
端子表面处理
哑光锡
应用
ITE (Commercial)
功率(瓦特)
3 W
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-C5
输出的数量
1
资历状况
不合格
审批机构
CB
效率
79%
电压-隔离度
2 kV
电压 - 输入(最大值)
75V
电压 - 输入(最小值)
9V
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大输出电流
600mA
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.012 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
50 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
24 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
29.8 W
特征
Remote On/Off
SIR472DP-T1-GE3拓展信息
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