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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.908969
10
¥3.687707
100
¥3.478968
500
¥3.282046
1000
¥3.09627
Vishay Intertechnologies SIR836DP-T1-GE3
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- 对比
SIR836DP-T1-GE3
2668-SIR836DP-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 40V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SIR836DP-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SIR836DP-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Package Style
小概要
Package Shape
RECTANGULAR
Package Body Material
UNSPECIFIED
Operating Temperature-Max
150 °C
Drain Current-Max (ID)
21 A
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Part Life Cycle Code
活跃
Rohs Code
有
Gross weight
100 g
Mounting
SMD
Capacitors series
GRM
Kind of capacitor
MLCC
Type of kit
capacitors
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-XDSO-C5
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.019 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
50 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
雪崩能量等级(Eas)
5 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
15.6 W
SIR836DP-T1-GE3拓展信息
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