Vishay Intertechnologies SIR873DP-T1-GE3
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SIR873DP-T1-GE3
2668-SIR873DP-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 150V, 0.0475ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8
1最小包装量--
SIR873DP-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SIR873DP-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
28 Weeks
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
SOP-8
Drain Current-Max (ID)
37 A
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Measurement range
pressure - 300…1100 hPa (H= - 500…9000 m)
Chip
BMP180
Description
Miniature atmospheric pressure sensor
Gross weight
2.80
Transport packaging size/quantity
48*31.5*27/500
Current consumption
standby mode - 0.1 µA; operating mode - 3 µA mA
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Supply voltage
1.8…3.6 V
深度
13 mm
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
JESD-30代码
R-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
界面
I2C
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
Response time
7.5 µs
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0475 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
50 A
DS 击穿电压-最小值
150 V
雪崩能量等级(Eas)
80 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Module type
Miniature atmospheric pressure sensor
宽度
10 mm
SIR873DP-T1-GE3拓展信息
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