Vishay Intertechnologies SIZ918DT-T1-GE3

工厂交货时间

8 Weeks

表面安装

YES

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

2

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Drain Current-Max (ID)

16 A

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Gross weight

5.64

Transport packaging size/quantity

68*30*41/5000

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-N6

配置

SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

排水源头

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.012 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

50 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

16 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR