Vishay Intertechnologies SQ2362ES-T1_GE3
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SQ2362ES-T1_GE3
2668-SQ2362ES-T1_GE3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Small Signal Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN
--最小包装量--
SQ2362ES-T1_GE3详情
Vishay Intertechnologies SQ2362ES-T1_GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks, 4 Days
表面安装
YES
材料
connector housing - PVC-45P
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN
Cable cross-section
2 x 0.75 mm2
Maximum current
2 A
Nominal voltage
250 V
Cable type
RUICHI 2-pin straight power cord
Transport packaging size/quantity
48*32*27/300
Gross weight
69.67
Turn-on Time-Max (ton)
40 ns
Turn-off Time-Max (toff)
51 ns
Package Style
小概要
Package Shape
RECTANGULAR
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Operating Temperature-Max
175 °C
Drain Current-Max (ID)
4.3 A
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
Connector type
plug CEE7/16 - socket IEC C7 (Female)
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
颜色
black
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-236AB
漏极-源极导通最大电阻
0.068 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
17 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
7 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
26 pF
饱和电流
1
长度
1800 mm
SQ2362ES-T1_GE3拓展信息
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