Vishay Intertechnologies SQ4184EY-T1_GE3
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SQ4184EY-T1_GE3
2668-SQ4184EY-T1_GE3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8
1最小包装量--
SQ4184EY-T1_GE3详情
Vishay Intertechnologies SQ4184EY-T1_GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Drain Current-Max (ID)
29 A
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G8
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.007 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
84 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
雪崩能量等级(Eas)
125 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
SQ4184EY-T1_GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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