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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥14.357952
10
¥13.545238
100
¥12.778526
500
¥12.055212
1000
¥11.372846
Vishay Intertechnologies SQ4917EY-T1-GE3
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SQ4917EY-T1-GE3
2668-SQ4917EY-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Description: SMALL SIGNAL, FET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SQ4917EY-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SQ4917EY-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
2
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8
Drain Current-Max (ID)
8 A
Operating Temperature-Max
175 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Turn-off Time-Max (toff)
61 ns
Turn-on Time-Max (ton)
34 ns
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G8
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
MS-012AA
漏极-源极导通最大电阻
0.048 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
32 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
25 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
142 pF
SQ4917EY-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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