注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.06207
10
¥4.775538
100
¥4.505227
500
¥4.250207
1000
¥4.009636
Vishay Intertechnologies SQ7414CENW-T1_GE3
- 收藏
- 对比
SQ7414CENW-T1_GE3
2668-SQ7414CENW-T1_GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SQ7414CENW-T1_GE3详情
Vishay Intertechnologies SQ7414CENW-T1_GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
17 Weeks
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5
Drain Current-Max (ID)
18 A
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
SQUARE
Package Style
小概要
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
S-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.028 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
72 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
16 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
SQ7414CENW-T1_GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies






哦! 它是空的。