Vishay Intertechnologies SQD45P03-12_GE3
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SQD45P03-12_GE3
2668-SQD45P03-12_GE3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
1最小包装量--
SQD45P03-12_GE3详情
Vishay Intertechnologies SQD45P03-12_GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
质量
0.2 kg
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of capacitor
ceramic
Kind of capacitor
MLCC
Mounting
SMD
Case - inch
1206
Case - mm
3216
Capacitors series
KGM
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Drain Current-Max (ID)
50 A
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Gross weight
214.00
Transport packaging size/quantity
29*36*34/50
Analogue
POS40
Execution
tube
Melting temperature
183...240 °C
Soldering temperature
285...330 °C
Operating temperature
-55...125°C
包装
coil
容差
±5%
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
Soft solder Sn/Pb with flux
端子表面处理
哑光锡
电容量
15pF
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
电介质
C0G (NP0)
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252
漏极-源极导通最大电阻
0.012 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
200 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
48 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
饱和电流
1
Operating voltage
2kV
直径
1.5 mm
SQD45P03-12_GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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