Vishay Intertechnologies SQD50N10-8M9L_GE3

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Drain Current-Max (ID)

50 A

Operating Temperature-Max

175 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Turn-off Time-Max (toff)

325 ns

Turn-on Time-Max (ton)

36 ns

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Pure Matte Tin (Sn) - annealed

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252AA

漏极-源极导通最大电阻

0.0089 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

92 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

反馈上限-最大值 (Crss)

160 pF

饱和电流

1