Vishay Intertechnologies SQM100P10-19L_GE3
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SQM100P10-19L_GE3
2668-SQM100P10-19L_GE3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Description: Power Field-Effect Transistor, 93A I(D), 100V, 0.019ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3/2 PIN
1最小包装量--
SQM100P10-19L_GE3详情
Vishay Intertechnologies SQM100P10-19L_GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
表面安装
YES
材料
aluminium
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of mounting element
holder
Colour
silver
Mounting
M4x10 screw
Mounting holes pitch
55mm
Trade name
handle
Gross weight
47 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Drain Current-Max (ID)
93 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-263AB
漏极-源极导通最大电阻
0.019 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
200 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
245 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
饱和电流
1
高度
30mm
长度
61.5mm
宽度
13mm
SQM100P10-19L_GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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