注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.221444
10
¥7.756079
100
¥7.317055
500
¥6.902883
1000
¥6.512154
Vishay Intertechnologies SUD50P06-15-GE3
- 收藏
- 对比
SUD50P06-15-GE3
2668-SUD50P06-15-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.015ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SUD50P06-15-GE3详情
Vishay Intertechnologies SUD50P06-15-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks, 4 Days
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Drain Current-Max (ID)
50 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Type of capacitor
ceramic
Kind of capacitor
MLCC
Capacitance tolerance
±0.5pF
Mounting
SMD
Case - inch
0201
Case - mm
0603
Capacitors series
GCQ
Gross weight
0.03 g
Operating temperature
-55...125°C
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
电容量
9.9pF
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
电介质
C0G (NP0)
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252
漏极-源极导通最大电阻
0.015 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
80 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
125 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
113 W
饱和电流
1
Operating voltage
50V
SUD50P06-15-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies






哦! 它是空的。