Vishay Intertechnologies SUM55P06-19L-E3
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SUM55P06-19L-E3
2668-SUM55P06-19L-E3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Description: Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 60V, 0.019ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, 3 PIN
1最小包装量--
SUM55P06-19L-E3详情
Vishay Intertechnologies SUM55P06-19L-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
19 Weeks
表面安装
YES
Housing material
ceramic
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
ROHS COMPLIANT, TO-263, 3 PIN
Drain Current-Max (ID)
55 A
Operating Temperature-Max
175 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Transport packaging size/quantity
28.5*21*19/600
Nominal current
5 A
Housing mounting
through hole in the housing
Nominal voltage
600 V
Wire cross-section
2.5 mm2
Clamping type
screw
Gross weight
12.78
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
Connector type
Ceramic screw terminal
端子表面处理
哑光锡
颜色
white
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
Number of contacts
2x2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
Operating temperature range
-40...+450 °C
JEDEC-95代码
TO-263AB
漏极-源极导通最大电阻
0.019 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
150 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
101 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
125 W
饱和电流
1
SUM55P06-19L-E3拓展信息
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