CPV364M4U
CPV364M4U

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Vishay Semiconductor CPV364M4U

  • 收藏
  • 对比

型号

CPV364M4U

utmel 编号

2668-CPV364M4U

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans IGBT Module N-CH 600V 20A 13-Pin IMS-2

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
CPV364M4U
CPV364M4U Vishay Semiconductor Trans IGBT Module N-CH 600V 20A 13-Pin IMS-2

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

CPV364M4U详情

Vishay Semiconductor CPV364M4U重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    Surface Mount, Through Hole

  • 引脚数

    13

  • Breakdown Voltage / V

    28.9 V

  • Case/Package

    Module

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    600 V

  • Reverse Stand-off Voltage

    26 V

  • RoHS

    Non-Compliant

  • 包装

    Bulk

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -40 °C

  • 最大功率耗散

    63 W

  • 极性

    单向

  • 元素配置

    Single

  • 最大反向漏电电流

    1 µA

  • 箝位电压

    45.4 V

  • 峰值脉冲电流

    66.1 A

  • 峰值脉冲功率

    3 kW

  • 方向

    单向

  • 测试电流

    1 mA

  • 输入

    Standard

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    600 V

  • 最大集电极电流

    20 A

  • 输入电容

    2.1 nF

  • NTC热敏电阻

  • 最小击穿电压

    31.1 V

  • 辐射硬化

  • 达到SVHC

    Unknown

  • 无铅

    含铅

0个相似型号

CPV364M4U拓展信息

SQ2319ADS-T1_GE3
SQ2319ADS-T1_GE3

Vishay Intertechnologies

SIHG22N60E-GE3
SIHG22N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

SI4866DY-T1-E3
SI4866DY-T1-E3

Vishay Intertechnologies

SIHG33N60E-GE3
SIHG33N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

IRFP064PBF
IRFP064PBF

Vishay Intertechnologies

SI1013R-T1-GE3
SI1013R-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

SUP40012EL-GE3
SUP40012EL-GE3

Vishay Intertechnologies

SI7112DN-T1-GE3
SI7112DN-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

IRFB9N60APBF
IRFB9N60APBF

Vishay Intertechnologies

SI2316BDS-T1-GE3
SI2316BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z