GN2470K4-G
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Microchip Technology GN2470K4-G

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型号

GN2470K4-G

utmel 编号

1610-GN2470K4-G

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR,700V,3.5A3 DPAKT/R

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GN2470K4-G
GN2470K4-G Microchip Technology INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR,700V,3.5A3 DPAKT/R

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GN2470K4-G详情

Microchip Technology GN2470K4-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    14 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 引脚数

    3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    700V

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2008

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    2.5W

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    2.5W

  • 输入类型

    Standard

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    700V

  • 最大集电极电流

    1A

  • JEDEC-95代码

    TO-252AA

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    5V @ 13V, 3A

  • 连续集电极电流

    1A

  • 集极脉冲电流(Icm)

    3.5A

  • Td(开/关)@25°C

    8ns/20ns

  • 高度

    2.39mm

  • 长度

    6.73mm

  • 宽度

    6.1mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Microchip Technology GN2470K4-G.

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右边的3个型号有着和Microchip Technology & GN2470K4-G相似的参数规格。

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