TC6215TG-G
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Microchip Technology TC6215TG-G

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型号

TC6215TG-G

utmel 编号

1610-TC6215TG-G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

N & P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE DUAL MOSFET8 SOIC 3.90mm(.150in) T/R

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TC6215TG-G
TC6215TG-G Microchip Technology N & P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE DUAL MOSFET8 SOIC 3.90mm(.150in) T/R

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TC6215TG-G详情

Microchip Technology TC6215TG-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 质量

    84.99187mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    2

  • Turn Off Delay Time

    17.2 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2008

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn) - annealed

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    TC621

  • 资历状况

    不合格

  • 通道数量

    2

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 接通延迟时间

    2.5 ns

  • 场效应管类型

    N and P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    4 Ω @ 2A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    120pF @ 25V

  • 上升时间

    2.3ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    150V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL AND P-CHANNEL

  • 下降时间(典型值)

    11.3 ns

  • 连续放电电流(ID)

    36A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    5Ohm

  • 漏源击穿电压

    -150V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Standard

  • 高度

    1.65mm

  • 长度

    4.9mm

  • 宽度

    3.8mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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