Nexperia USA Inc. PMV40UN2R

工厂交货时间

4 Weeks

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

34 ns

Power Dissipation (Max)

490mW Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.7A Ta

已出版

1997

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电阻

36mOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

490mW

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

44m Ω @ 3.7A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

900mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

635pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs（最大值）

±12V

连续放电电流(ID)

3.7A

阈值电压

400mV

JEDEC-95代码

TO-236AB

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

30V

最大结点温度（Tj）

150°C

环境温度范围高

150°C

高度

1.1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅