ROHM Semiconductor ZDS020N60TB

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

630mA Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Tc

Turn Off Delay Time

65 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

8

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

310pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

上升时间

20ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

65 ns

连续放电电流(ID)

630mA

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.63A

漏极-源极导通最大电阻

5Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

2.5A

DS 击穿电压-最小值

600V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅