STMicroelectronics STGB30V60DF

工厂交货时间

20 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

质量

2.240009g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.85V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 30A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

258W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STGB30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

258W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

60A

反向恢复时间

53 ns

最大击穿电压

600V

接通时间

59 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.3V @ 15V, 30A

关断时间-标准值（toff)

225 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

163nC

集极脉冲电流（Icm）

120A

Td（开/关）@25°C

45ns/189ns

开关能量

383μJ (on), 233μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

RoHS状态

ROHS3 Compliant