STL15DN4F5
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STMicroelectronics STL15DN4F5

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型号

STL15DN4F5

utmel 编号

2381-STL15DN4F5

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-PowerVDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin Power Flat T/R

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STL15DN4F5
STL15DN4F5 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin Power Flat T/R

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STL15DN4F5详情

STMicroelectronics STL15DN4F5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

  • 工厂交货时间

    14 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerVDFN

  • 引脚数

    5

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    2

  • Turn Off Delay Time

    32 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    9MOhm

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 附加功能

    ULTRA LOW-ON RESISTANCE

  • 最大功率耗散

    60W

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 基本部件号

    STL15

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    R-PDSO-F6

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    60W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    18 ns

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    9m Ω @ 7.5A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1550pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    25nC @ 10V

  • 上升时间

    45ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    40V

  • 下降时间(典型值)

    5 ns

  • 连续放电电流(ID)

    60A

  • 阈值电压

    2V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    40V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 高度

    850μm

  • 长度

    4.75mm

  • 宽度

    5.75mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: STMicroelectronics STL15DN4F5.

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