STMicroelectronics STS2DNF30L

生命周期状态

NRND (Last Updated: 7 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

12 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™

JESD-609代码

e4

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

3A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STS2D

引脚数量

8

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

19 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

110m Ω @ 1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

121pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.5nC @ 10V

上升时间

20ns

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

3A

阈值电压

1.7V

栅极至源极电压(Vgs)

18V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏极-源极导通最大电阻

0.15Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

9A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

6.35mm

长度

50.8mm

宽度

6.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅